英特尔首席执行官陈立武近日在接受《日经亚洲》采访时谈到中国半导体产业进展。被问及中国能否在未来5至10年内赶上美国的芯片能力时，他简短回应：“现在我认为，差距并没有那么大。”他没有进一步说明所指的是哪类芯片、制造节点、良率或成本，也未给出量化指标，因此这句话不能解读为中国已在先进制程上追平美国。

陈立武表示，无论美国还是中国企业，各自都有不同优势与短板，最终胜负取决于哪些产品最适合企业和消费者。他同时提到地缘政治限制带来的敏感问题，但没有将这番判断具体归结为某一项政策或技术突破。报道所说的EUV光刻设备限制，涉及多国出口管制体系；荷兰设备商ASML此前确认，其EUV系统销售已受到限制，荷兰政府也对部分先进浸没式DUV设备实施出口许可制度。

同一场采访还谈到英特尔自身转型。陈立武称公司重组已完成约八成，但重建有竞争力的晶圆代工业务还需要多年；他以台积电为例，称其成为全球领先代工企业用了10至20年，并表示如果方向正确，代工业务有望成为英特尔新的增长动力。由此来看，他关于中国制造能力的评论是对行业整体差距的简短判断，并非一份针对具体工艺节点的技术评估。

报道也把这番言论放在中国推进EUV光源研发的背景下。上海朗道科技展示的FlintNano LPP-OXXO是一套低功率激光诱导等离子体EUV光源原型。公司公布的参数称，驱动激光功率为1000瓦、工作频率为1至20千赫兹、转换效率超过2%，EUV输出功率超过15瓦，可连续运行100小时以上；公司还称其国产化率约为90%。这些是企业公布的指标，尚不能视为经过独立验证的商用表现。

更重要的是，EUV光源只是光刻机的核心部件之一，并不等于完整的EUV扫描曝光设备。第三方技术分析指出，朗道没有说明15瓦数据的测量位置，若是在等离子体处测得，就不能直接与ASML在中间焦点公布的功率比较；原型也尚未证明具备大规模晶圆生产所需的输出、稳定性、光学系统和整机精度。朗道方面曾提出还需数年推进商业化，但目前距离量产光刻机仍有明显技术与工程环节需要突破。