ASML正与客户合作开发适用于下一代 High-NA EUV 光刻设备的更大尺寸掩膜版，这项调整有望让该系统更适合用于最大型的 AI 和数据中心芯片。 该公司表示，现有 EUV 设备可打印面积约达 800 平方毫米的芯片，已足以覆盖英伟达、Google等厂商面向先进数据中心硬件设计的处理器和加速器。
High-NA EUV 是 ASML 的下一代主力光刻平台，能够打印比现有 EUV 更精细的特征，有助于芯片厂商在先进制程上实现更高密度设计。 但它目前使用的掩膜版较小，限制了单次曝光可打印的芯片面积。
为解决这一限制，ASML 计划把 High-NA EUV 转向 12 英寸掩膜版格式，使新设备能够处理更大芯片，覆盖现有 EUV 设备已能生产的最大数据中心级器件规模。 光刻设备通过让光穿过承载芯片图案的掩膜版，把电路图案投射到硅片上，因此掩膜尺寸直接决定一次曝光能覆盖多少设计内容。
在产业落地方面，英特尔已经在笔记本芯片上使用 ASML 的 High-NA 系统，但台积电和三星尚未在逻辑芯片的大规模量产中部署该设备。 ASML 预计将在 2031 年展示使用更大掩膜版的试验产线，并计划在 2033 年让这项技术进入大批量生产阶段。
ASML 首席技术官 Marco Pieters 向路透社表示，如果行业各方能够协同推进，这些系统的生产效率有望提升 40%。 这一举措也旨在扩大 High-NA EUV 的适用范围，因为这类设备预计比现有 EUV 更昂贵、技术要求更高，而芯片厂商只有在产出足够高时才会愿意大规模采用。
行业时间表也显示，High-NA EUV 正从早期试用逐步走向更广泛的生产规划。 SK 海力士表示正在考虑是否加入推动 12 英寸掩膜版导入的联盟，并把 2028 年定为 High-NA EUV 用于 DRAM 量产的目标时间点；三星也计划在 2028 年开始将 High-NA EUV 用于高产能 DRAM 生产，台积电则预计从 2030 年起在先进制程芯片的大规模制造中导入这项技术。
这些进展说明，ASML 的大尺寸掩膜版方案主要是在解决另一层面的难题：让 High-NA EUV 不仅能提供更高分辨率，还能支撑 AI 系统和云基础设施所需、体积越来越大的芯片设计。