摩根士丹利最新发布的研究报告为消费电子市场拉响了警报。报告指出，由于存储芯片制造商持续将晶圆产能向HBM（高带宽内存）、DDR5以及更高层数的NAND闪存转移，成熟制程的DRAM和NAND芯片正面临日益严重的供应短缺。受此效应影响，传统DDR4内存的价格预计将在今年第三季度大幅飙升50%。
根据这家华尔街巨头的预测，DDR4的价格在经历第三季度50%的暴涨后，2026年第四季度还将继续上涨10%。与此同时，SLC NAND闪存的涨价预期更为激进，摩根士丹利预计在今年剩余的两个季度中，SLC NAND的价格每季度都将出现高达50%的涨幅。这场即将到来的供应挤压被认为主要由供应端的产能结构调整所致。
报告详细解释了这一市场动荡的深层原因。目前，HBM制造所消耗的硅晶圆数量约为传统DRAM的三倍。造成这种高消耗的原因不仅在于HBM采用了垂直堆叠层技术，还由于物理连接HBM层的硅穿孔（TSV）附近无法紧密放置内存单元。此外，市场对HBM的需求正在呈爆炸式增长。瑞银（UBS）近期的预测数据显示，仅英伟达（NVIDIA）一家公司在2027年就将消耗约251亿Gb的HBM，而届时整个行业的总产量预计约为615亿Gb。
不仅是传统内存，新型DDR5芯片的价格同样居高不下且毫无降温迹象。美国银行的数据显示，DDR5-5600/6400 24GB的现货价格在8月份单月环比上涨了8%，使得其同比增幅达到了惊人的483%。在2025年年中，一颗24GB DDR5芯片的价格仅徘徊在8美元左右，而目前的市场价格已经逼近47美元关口。整体来看，由AI浪潮引发的存储产能转移，正导致广泛的内存产品迎来全面的价格飞涨。