德国光学巨头蔡司首席执行官弗兰克·罗姆蒙德近日表示，由于美国对华出口管制导致中国无法获得荷兰阿斯麦的尖端极紫外光刻机，中国半导体产业在商业化道路上将面临巨大阻碍。他指出，长远来看，依赖深紫外光刻机配合多重曝光的替代方案在良率和成本上均不可行。

受严格出口规则限制，蔡司和阿斯麦等企业被禁止向中国运送EUV相关设备，从而压制了当地的行业进展。在台积电等龙头企业加速推进2纳米生产的背景下，罗姆蒙德认为中国未来的商业级芯片制造能力将长期受限于7纳米节点。尽管借助多重曝光技术利用DUV设备理论上能够实现5纳米级芯片，但显而易见的弊端是制造工艺极其复杂、良率偏低且成本居高不下。蔡司首席执行官指出，此类方案若无政府层面的巨额资金补贴支持，在商业上将难以持续。

罗姆蒙德直言，缺乏EUV将使中国难以在全球市场上保持长期竞争力。以中芯国际7纳米N+3节点制造的华为麒麟9030芯片为例，其采用了比英特尔18A更紧密的金属间距，可与台积电采用EUV制造的N6工艺相抗衡。然而，该芯片在整体性能和功耗表现上依然存在短板，其能效甚至与苹果的高效能核心存在显著差距。虽然华为曾声称其LogicFolding封装技术有望在2031年实现1.4纳米级芯片，但仍将无法绕过高复杂度、低良率与高昂成本的现实困境。业内分析认为，随着时间的推移，如果没有EUV设备的加持，中国在半导体领域的竞争差距或将进一步拉大。