英特尔在先进封装领域的最新进展正吸引着大量外部客户的目光。据悉，英特尔的嵌入式多芯片互连桥接技术能够让设计人员利用二维、二点五维以及三维构建模块，在系统层面实现成本、功耗和带宽的最优化。作为一种基板嵌入式硅桥技术，该方案能够在免除全尺寸硅中介层带来的巨额成本和面积惩罚的同时，提供高密度的局部芯片间路由。

例如，提供内置MIM电容器的EMIB-M以及集成硅通孔的EMIB-T等不同硅桥变体，能够提供低成本、高密度的岸线连接，非常适合逻辑芯片与逻辑芯片、以及逻辑芯片与高带宽内存之间的接口。其中，带有硅通孔的EMIB-T变体允许专用集成电路直接连接电源，从而在单个封装上实现支持多千瓦的大功率解决方案。

不过，这种先进的EMIB-T封装技术预计要到明年才会正式进入量产阶段，目前英特尔正专注于为客户加速量产常规的EMIB以及Foveros技术。根据制造印刷电路板和硅基板的台湾欣兴电子透露，英特尔的EMIB-T预计将在2027年实现大规模量产。业内消息同时指出，包括博通和Meta在内的多家专用集成电路设计厂商正在考虑从台积电的CoWoS封装转向英特尔的EMIB方案，以此在保持同等技术优势甚至获得更多特性的同时大幅降低成本。

据评估，EMIB-T与台积电同类技术之间的价格差距最高可达百分之五十，具体取决于是否需要昂贵的硅中介层。这意味着客户能够省下高昂的先进封装费用，并将资金投入到其他生产领域之中。

对于英特尔而言，这表明市场上的客户正积极探索通过各种EMIB变体来扩展其硅芯片规模。从常规EMIB到EMIB-M和EMIB-T，客户的目标是在能够支持此类扩展的封装上，实现封装了高带宽内存的多网版芯片。英特尔正试图凭借更先进的封装技术将客户吸引过来。与此同时，有报道称台积电在处理英伟达下一代“维拉·鲁宾”芯片时遇到了有关CoWoS-L设计的翘曲问题。原本计划在“鲁宾·乌льтра”架构中采用四芯片组合设计的台积电，正面临基板向多个方向弯曲的困扰，这导致计算芯片无法与底层基板实现完全接触。